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H3TRB试验检测

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第三方检测服务主要覆盖塑封双列直插集成电路、四方扁平封装器件、小外形晶体管封装器件、小外形集成电路封装器件、芯片级封装器件、板级封装器件、塑料封装整流二极管等21+项参数。中析研究所拥有的技术团队与检测设备,H3TRB检测完成后出具科研检测报告,支持全国寄样。

检测项目

  • 漏电流测试,用于评估器件在高温高湿偏压条件下内部绝缘性能的退化程度,判定其是否存在异常导电通道
  • 击穿电压测试,用于判定器件在经受电化学腐蚀后PN结或氧化层耐压能力的衰减情况
  • 导通电阻测试,用于评估金属化层和键合引线在潮湿环境侵蚀后的导电性能变化
  • 静态电流测试,用于监测器件在稳态工作时的功耗电流,判定是否存在水汽引起的漏电路径
  • 阈值电压测试,用于判定栅氧化层在吸湿后是否发生偏移或界面态增加
  • 电流放大系数测试,用于评估双极型晶体管在电迁移腐蚀后的电流放大能力衰减
  • 引脚间绝缘电阻测试,用于判定外部引脚在潮湿环境下是否发生离子迁移导致短路
  • 外观检查,用于识别封装体开裂、分层、变色等因热膨胀和水汽侵入引起的物理损伤
  • 超声扫描显微镜检测,用于无损探测封装体内部界面分层及裂纹扩展情况
  • X射线检测,用于观察潮湿试验后引线键合点变形、断裂及芯片焊接层空洞
  • 破坏性物理分析,用于切开器件内部观察电迁移树枝状结晶及金属化层腐蚀形貌
  • 功耗测试,用于评估器件在高温高湿偏压条件下的热耗散性能变化
  • 输入输出电平测试,用于判定逻辑器件引脚在湿气侵入后电平翻转功能是否正常
  • 瞬态响应测试,用于评估器件在开关切换过程中的响应延迟及波形畸变情况
  • 电容特性测试,用于判定器件寄生电容在吸湿后介电常数变化引起的参数漂移
  • 温度系数测试,用于评估器件关键电参数随温度变化的漂移量是否超出规格范围
  • 键合强度测试,用于判定键合引线在经受电化学腐蚀后的机械拉拔力是否下降
  • 封装密封性测试,用于评估塑封材料阻挡外部水汽渗透进入芯片表面的防护能力
  • 热阻测试,用于判定封装内部散热路径在材料吸湿劣化后热传导性能的变化
  • 频率特性测试,用于评估高频器件在潮湿环境侵蚀后截止频率及增益的变化情况
  • 噪声测试,用于判定器件在微电流工作状态下因水汽干扰引起的电噪声水平增加量

常见问题

H3TRB试验检测需要多长时间?

通常7-15个工作日,具体时长依据样品数量、试验条件及是否需要开展失效分析等附加项目综合确定,标准试验条件本身需持续1000小时。

H3TRB试验检测费用大概多少?

根据检测项目数量确定,基础试验费用包含温湿度箱占用及电参数监测,若增加超声扫描、X射线或破坏性物理分析等项目则费用相应增加。

H3TRB试验与普通高低温试验有什么区别?

H3TRB试验不仅施加85℃和85%相对湿度,还需在器件引脚间施加规定的偏置电压,其核心在于激发水汽电离产生的电化学反应,而普通高低温试验仅考核温度应力下的物理形变。

检测信息

H3TRB试验是一种针对非气密固体表面安装器件在高温高湿环境下的可靠性评估手段,主要用于考核半导体器件在85℃和85%相对湿度外加偏压条件下的耐潮湿性能,广泛应用于集成电路、二极管、晶体管等电子元器件的寿命评估。

该检测的目的是激发器件内部因水汽侵入导致的电化学腐蚀、金属化层迁移及键合点失效等潜在缺陷,试验过程中采用电参数原位监测技术手段,以高精度微安级电流表实时记录器件漏电流变化情况,从而判定其抗潮湿能力。

检测流程涵盖样品外观筛选与电参数初始筛选、施加规定偏压并置于85℃/85%RH温湿度箱内持续1000小时、试验期间定时记录电学数据,以及试验结束后进行常温复测与失效分析,核心参数包括偏置电压值、试验温度、相对湿度及漏电流阈值。

检测范围

  • 塑封双列直插集成电路
  • 四方扁平封装器件
  • 小外形晶体管封装器件
  • 小外形集成电路封装器件
  • 芯片级封装器件
  • 板级封装器件
  • 塑料封装整流二极管
  • 塑料封装稳压二极管
  • 塑料封装开关二极管
  • 塑料封装肖特基二极管
  • 塑料封装双极型晶体管
  • 塑料封装场效应晶体管
  • 塑料封装绝缘栅双极型晶体管
  • 塑料封装光电耦合器
  • 塑料封装电压调节器
  • 塑料封装运算放大器
  • 塑料封装逻辑门电路
  • 塑料封装存储芯片
  • 塑料封装微控制器
  • 塑料封装电源管理芯片
  • 塑料封装传感器芯片

检测标准(部分)

  • GB/T 33861-2017(英文版) 高低温试验箱能效测试方法
  • GB/T 11158-2008(英文版) 高温试验箱技术条件
  • GB/T 10591-2006(英文版) 高温/ 低气压试验箱技术条件
  • GB/T 32967.1-2016(英文版) 金属材料 高应变速率扭转试验 第1部分:室温试验方法
  • GB/T 10590-2006(英文版) 高低温/ 低气压试验箱技术条件
  • GB/T 34108-2017(英文版) 金属材料 高应变速率室温压缩试验方法
  • GB/T 42900-2023(英文版) 金属材料 高应变速率高温压缩试验方法

总结

H3TRB试验是针对电子元器件在高温高湿偏压条件下抗电化学腐蚀能力的可靠性检测,涵盖漏电流、电参数漂移及封装完整性等核心内容。通常7-15个工作日完成基础检测,出具的检测数据可满足元器件质量评估及项目验收需求。

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