外延片检测项目
- GB/T 47917-2026 300mm硅外延片
- GB/T 44334-2024 埋层硅外延片
- GB/T 43885-2024 碳化硅外延片
- GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
- GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范
- GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
- GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片
- GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
- GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
- GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法
- GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
- GB/T 14139-2009 硅外延片
- SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片
- SJ 21493-2018 碳化硅外延片表面缺陷测试方法
- SJ 20514A-2018 微波功率晶体管用硅外延片规范
- SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化镓外延片规范
- SJ 21535-2018 电力电子器件用碳化硅外延片规范
- SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法
- SJ 3242-1989 砷化镓外延片
外延片检测方法
- 傅里叶变换红外光谱法：用于测量硅基外延层厚度及间隙氧含量。
- X射线双晶衍射法：用于分析外延层晶体完整性、组分及应变状态。
- 光致发光光谱法：用于表征化合物半导体外延材料的发光性能及杂质缺陷。
- 霍尔效应测量法：用于测定外延层载流子浓度、迁移率及导电类型。
- 汞探针电容电压法：用于无接触式测量外延层掺杂浓度分布。
- 原子力显微镜法：用于纳米级分辨率观测外延层表面粗糙度及微观形貌。
- 扫描电子显微镜法：用于观测外延层表面颗粒、微管及剖面结构缺陷。
- 透射电子显微镜法：用于原子尺度分析外延层与衬底界面及位错结构。
- 二次离子质谱法：用于分析外延层中痕量杂质元素的深度分布。
- 深能级瞬态谱法：用于检测外延层中深能级陷阱的浓度与能级位置。
总结
外延片检测是对半导体晶圆外延层厚度、掺杂浓度、缺陷密度及晶体质量的综合理化表征。北京中科光析科学技术研究所检测中心旗下实验室拥有CMA、CNAS、ISO等检验检测资质。出具的检测报告可用于工艺优化与产品验收，常规周期为7至15个工作日。