常见问题
XRD检测需要多长时间？通常7-15个工作日
具体检测周期根据样品数量、测试条件及数据解析的复杂程度而定，常规粉末或块体测试通常在7-15个工作日内完成，若涉及原位变温测试或复杂Rietveld精修，周期可能适当延长。
XRD检测费用大概多少？根据检测项目数量确定
检测费用依据具体的测试需求、测试模式（如常规扫描、掠入射、变温）以及是否需要深度数据分析来核算，具体价格需提供检测项目表后由工程师评估报价。
XRD测试对样品有什么要求？
粉末样品需研磨至无颗粒感且质量一般不少于10毫克，块体样品需具备平整测试面且尺寸不超过仪器测试台的限制范围，薄膜样品需明确基底材料和膜层厚度信息。
XRD检测方法
- 连续扫描法：通过在设定2θ范围内匀速移动探测器获取连续衍射图谱。
- 步进扫描法：以固定步长间隔采集各角度的衍射强度以提高信噪比。
- 掠入射法：采用固定小入射角进行测试以降低基底信号对薄膜分析的干扰。
- 变温测试法：结合加热台在不同温度点进行原位采集以分析热膨胀与相变。
- Rietveld全谱拟合法：通过理论计算图谱与实测图谱很小二乘法拟合进行结构精修。
- 谢乐公式法：利用衍射峰的半高宽数据计算晶粒的尺寸大小。
- 内标法：向样品中加入已知比例的内标物进行物相相当含量计算。
- 绝热法：基于参考强度比进行多相混合物的定量相分析。
- 极图测量法：通过倾转和旋转样品台采集特定晶面的衍射强度分布。
- X射线反射法：通过分析低角度区域的干涉条纹计算薄膜厚度和密度。
- 倒易空间映射法：通过二维面探测器采集倒易点阵信息分析外延薄膜质量。
- 径向分布函数法：通过傅里叶变换将衍射强度转换为原子径向分布概率。
检测范围
- 粉末X射线衍射检测
- 块体X射线衍射检测
- 薄膜X射线衍射检测
- 原位变温XRD检测
- 原位拉伸XRD检测
- 微区X射线衍射检测
- 高分辨X射线衍射检测
- 小角X射线散射检测
- 广角X射线衍射检测
- 掠入射X射线衍射检测
- 单晶X射线衍射检测
- 纤维X射线衍射检测
- 薄膜残余应力检测
- 织构XRD检测
- 变湿度XRD检测
- 反射模式XRD检测
- 透射模式XRD检测
- 多晶X射线衍射检测
- 纳米材料XRD检测
- 非晶态材料XRD检测
- 外延薄膜XRD检测
- 电池电极原位XRD检测
检测标准（部分）
- GB/T 36655-2018 电子封装用球形二氧化硅微粉中α态晶体二氧化硅含量的测试方法 XRD法
- BS ISO 23071:2021 Refractory products. Determination of reduced species in carbon containing refractories by XRD
- ASTM F3419-22 Standard Test Method for Mineral Characterization of Equine Surface Materials by X-Ray Diffraction (XRD) Techniques
- ISO 21068-4:2024 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon — Part 4: XRD methods
- 20255179-T-469 含碳化硅、氮化硅、氧氮化硅和赛隆耐火材料化学分析方法 第4部分：XRD法
- UNE-EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
- DIN EN ISO 21068-4:2024-11 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO 21068-4:2024)
- DIN EN 12698-2:2007-06 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
- ISO 23071:2021 Refractory products — Determination of reduced species in carbon containing refractories by XRD
- DIN EN ISO 21068-4:2023-07 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO/DIS 21068-4:2023); German and English version prEN ISO 21068-4:2023
- EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
- BS EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories-XRD methods
- GB/T 47098-2026 耐火材料 X射线衍射法测定含碳耐火材料中的还原性物质
- GA/T 1422-2017 法庭科学常见火炸药组分检验 X射线衍射法
- ISO 22278:2020 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
- GB/T 47625-2026 精细陶瓷 平行光束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶圆）结晶质量
- BS ISO 22278:2020 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics). Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
- SN/T 3514-2013 电工钢晶粒取向与无取向鉴定方法 X射线衍射测定织构法
- EN ISO 21068-4:2024 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO 21068‑4:2024)
检测信息
XRD是一种利用X射线在晶体中的衍射现象来分析物质内部原子空间分布的检测技术，广泛应用于材料科学、地质矿产、冶金、化工及半导体等领域。
该检测的主要目的是通过测定衍射角和衍射强度，实现对多晶材料的物相定性定量分析、结晶度计算及晶胞参数测定，涉及X射线光学和晶体学理论。
核心检测流程包括样品制备、扫描测试和数据解析，其中关键参数涵盖2θ扫描范围、步长、扫描速度及工作电压电流等，直接影响衍射图谱的分辨率。
总结
XRD检测覆盖物相定性定量分析、结晶度计算及晶胞参数测定等晶体结构表征内容。常规检测周期为7-15个工作日，可满足材料研发与质控需求。